IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號(hào)：FF400R07KE4
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-01-19
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詳細(xì)介紹

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

集電極—射極擊穿電壓: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應(yīng)用
大功率變流器
電機(jī)傳動(dòng)
UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流

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