歡迎來(lái)到北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司！
服務(wù)熱線(xiàn)：010-64824799
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產(chǎn)品分類(lèi)
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
產(chǎn)品型號(hào)：MBL1000E33E-B廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-08-19訪(fǎng) 問(wèn) 量：1746
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日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;PLC模塊，風(fēng)機(jī)，傳感器，驅(qū)動(dòng)板，主控板，電源板，變頻器配件
地鐵機(jī)車(chē)變流器配件日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
產(chǎn)品參數(shù)：
IGBT 類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿：3300 V
電流 - 集電極 (Ic)：1500 A
電流 - 集電極截止：100 µA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻：無(wú)
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：AG-62MM
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
3300V IGBT模塊型號(hào)：
FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D
IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)
綜合上述優(yōu)勢(shì)，IGBT模塊已經(jīng)成為能量轉(zhuǎn)換和電力控制領(lǐng)域的的組成部分，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。
1700V IGBT模塊型號(hào)：
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
| FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
| FZ1200R17HP4 FZ1600R17HP4 FZ1800R17HP4_B9 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9 FZ3600R17HP4 IGBT4 Fast (IHM B) 1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9 FZ2400R17HE4_B9 FZ3600R17HE4 |
特征描述
產(chǎn)品規(guī)格：
產(chǎn)品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 過(guò)載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A，1700V半橋模塊
的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）
在過(guò)載情況下工作結(jié)溫可達(dá)到175°C
壓接式控制引腳
日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
優(yōu)勢(shì)：
具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯(lián)
通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本
靈活性
高的可靠性
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：
不間斷電源（UPS）
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
商用、建筑和農(nóng)用車(chē)輛 (CAV)
變頻器
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。
銷(xiāo)售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；
英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無(wú)感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板
操作面板
英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3_S2
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司IGBT模塊MBN1800F33F-C3
IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽(yáng)能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
第七代IGBT型號(hào)：
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7
P
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