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京誠宏泰科技 針對工業(yè)電力電子領(lǐng)域以FUJI ELECTRIC富士電機(jī)IGBT模塊（包括富士IPM模塊、富士PIM模塊、富士IGBT驅(qū)動IC）為核心，配合功率器件：晶閘管SCR、電力MOSFET、MOSFET模塊，電力二極管、二極管模塊、單相整流橋、叁相整流橋等。京誠宏泰科技 同時可以為客戶提供IGBT驅(qū)動方案及配套單片機(jī)MCU、DSP、高速光耦、隔離光耦、電源IC、平波用鋁電解電容

MiniSKiiP IPM是應(yīng)用在中功率方面的智能功率模塊。每個IPM包含一個封閉的升級版的開關(guān)概念的沒有HVIC SOI的門極驅(qū)動。門極驅(qū)動有3.3 V / 5 V / 15 V的信號輸入接口，并且含有根據(jù)外部轉(zhuǎn)軌電阻的短路電流保護(hù)裝置。集成了對所有通道的欠電壓封鎖，以及通過設(shè)定死區(qū)時間的邏輯互鎖來作為交叉導(dǎo)通保護(hù)。MiniSKiiP IPM適用于工業(yè)以及日常消費的應(yīng)用

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。